開關(guān)導(dǎo)通時，能量從輸入直流電源（通過開關(guān)）傳輸給電感，沒有能量傳輸給輸出端...開關(guān)導(dǎo)通時，能量從輸入直流電源（通過開關(guān)）傳輸給電感，沒有能量傳輸給輸出端。 開關(guān)關(guān)斷時，電感儲能（通過二極管）傳輸?shù)捷敵龆?，沒有直接來自輸入直流電源的...
漏源電壓（Vds）：60V（最大值） 連續(xù)漏極電流（Id）：115mA（典型值） 柵源...漏源電壓（Vds）：60V（最大值） 連續(xù)漏極電流（Id）：115mA（典型值） 柵源閾值電壓（Vgs th）：1V至2.5V（測試條件250pA）
MOS管作為高速電子開關(guān)，通過柵極電壓控制電流通斷，實現(xiàn)對電機調(diào)速、制動等操...MOS管作為高速電子開關(guān)，通過柵極電壓控制電流通斷，實現(xiàn)對電機調(diào)速、制動等操作的精準調(diào)節(jié)。其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)頻率特性可顯著降低能耗，適用于電動車控制器等...
MOS管的結(jié)構(gòu)核心是“絕緣層隔離柵極與溝道”，具體如下（以N溝道MOS管為例）：...MOS管的結(jié)構(gòu)核心是“絕緣層隔離柵極與溝道”，具體如下（以N溝道MOS管為例）： 襯底：通常是P型半導(dǎo)體（也有N型襯底）； 絕緣層：在襯底表面生長一層極薄的氧化...
KCB3310A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流90A，采用先進的SGT技術(shù)制造，?極...KCB3310A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流90A，采用先進的SGT技術(shù)制造，?極低導(dǎo)通電阻RDS（導(dǎo)通）僅為5mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；...
