KNF41100A超高壓場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓1000V，漏極電流2A，低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟)...KNF41100A超高壓場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓1000V，漏極電流2A，低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 9.6Ω，最大限度地降低導(dǎo)通電阻，低柵極電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗、高效低耗；快速恢復(fù)體...
CMOS反相器由PMOS和NMOS組成。PMOS在上，接電源，NMOS在下，接地。當(dāng)輸入高電平...CMOS反相器由PMOS和NMOS組成。PMOS在上，接電源，NMOS在下，接地。當(dāng)輸入高電平時(shí)，NMOS導(dǎo)通，PMOS截止，輸出接地，也就是低電平。輸入低電平時(shí)，PMOS導(dǎo)通，NMOS截...
雙向DC-DC變換器通常由高頻變壓器、IGBT/MOSFET等開(kāi)關(guān)器件及儲(chǔ)能元件（如電感、...雙向DC-DC變換器通常由高頻變壓器、IGBT/MOSFET等開(kāi)關(guān)器件及儲(chǔ)能元件（如電感、電容）組成。雙向DC-DC變換電路通過(guò)電力電子器件實(shí)現(xiàn)直流電的雙向傳輸與轉(zhuǎn)換，通過(guò)...
KND2906A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極...KND2906A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 5.5mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；具有...
逆變電路：逆變器的核心部分，由半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件（如MOSFET、IGBT等）組成的全橋...逆變電路：逆變器的核心部分，由半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件（如MOSFET、IGBT等）組成的全橋或半橋電路構(gòu)成。通過(guò)高頻開(kāi)關(guān)控制（PWM脈寬調(diào)制），將升壓后的直流電轉(zhuǎn)換為交流脈...
