NMOS的電流方向在標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通狀態(tài)下為漏極（D）到源極（S），但在特定電路設(shè)計（如...NMOS的電流方向在標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通狀態(tài)下為漏極（D）到源極（S），但在特定電路設(shè)計（如防反接電路）中可能反向流動（S到D）。 MOS管的導(dǎo)通條件取決于NMOS或PMOS類型和閾...
60r180場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流20A ，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極低...60r180場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流20A ，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 160mΩ，低柵極電荷Qg=33.5nC，減少開關(guān)損耗，提高效率；具備高...
電動車控制器的原理是在電池電壓保持相對穩(wěn)定的前提下，通過斷續(xù)供電的方式，調(diào)...電動車控制器的原理是在電池電壓保持相對穩(wěn)定的前提下，通過斷續(xù)供電的方式，調(diào)整電機(jī)供電電壓的平均值，從而實現(xiàn)對電機(jī)速度和電流的精準(zhǔn)控制。這種控制方式使得電...
開通時損耗：PON=IceoVcetofff 開通過程損耗：Pr=IcVDStrf/6= Ic2trtr'f/6Crs...開通時損耗：PON=IceoVcetofff 開通過程損耗：Pr=IcVDStrf/6= Ic2trtr'f/6Crss 關(guān)斷時損耗：Poff=IcVcestonf 關(guān)斷過程損耗：Pf=IcVDStff/6＝Ic2tftf'f/6Coss ...
KLF60R280B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流15A，采用新型溝槽工藝制造，性...KLF60R280B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流15A，采用新型溝槽工藝制造，性能優(yōu)越；低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 240mΩ，減少導(dǎo)電損失，低柵極電荷（典型值Qg=19.6nC）...
PWM波形為一個矩形波，包含高電平（ON）和低電平（OFF）兩個狀態(tài)。通過改變高電...PWM波形為一個矩形波，包含高電平（ON）和低電平（OFF）兩個狀態(tài)。通過改變高電平時間占總周期的比例（即占空比），可以實現(xiàn)不同亮度的輸出。占空比越大，LED在高...
