直流充電樁基本構(gòu)成包括：功率單元、控制單元、計(jì)量單元、充電接口、供電接口及...直流充電樁基本構(gòu)成包括：功率單元、控制單元、計(jì)量單元、充電接口、供電接口及人機(jī)交互界面等。功率單元是指直流充電模塊，控制單元是指充電樁控制器。 充電基本...
KNP45100A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓1000V，漏極電流6A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.0...KNP45100A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓1000V，漏極電流6A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.0mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，低電荷最小化開關(guān)損耗，低反向傳輸電容，開關(guān)速度快，...
變壓器隔離驅(qū)動(dòng)電路基于電磁感應(yīng)定律和電絕緣隔離原理，當(dāng)原邊繞組施加交流電壓...變壓器隔離驅(qū)動(dòng)電路基于電磁感應(yīng)定律和電絕緣隔離原理，當(dāng)原邊繞組施加交流電壓時(shí)，產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，副邊繞組通過電磁感應(yīng)產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)。通過控制原邊繞組的占空比信號(hào)...
直流電子負(fù)載是通過控制內(nèi)部功率（MOSFET）或晶體管的導(dǎo)通量（量占空比大?。?，...直流電子負(fù)載是通過控制內(nèi)部功率（MOSFET）或晶體管的導(dǎo)通量（量占空比大?。?，依靠功率管的耗散功率消耗電能的設(shè)備。 直流電子負(fù)載的核心是通過功率器件（如MOS...
irf3205場(chǎng)效應(yīng)管代換型號(hào)KNP3106N?漏源擊穿電壓60V，漏極電流110A ，采用新型...irf3205場(chǎng)效應(yīng)管代換型號(hào)KNP3106N?漏源擊穿電壓60V，漏極電流110A ，采用新型平面技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 7mΩ，減少開關(guān)損耗，提高效率；具有卓越的性...
晶圓級(jí)封裝（Wafer Level Packaging，WLP），是一種直接在晶圓上完成大部分或全...晶圓級(jí)封裝（Wafer Level Packaging，WLP），是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測(cè)試程序，再進(jìn)行切割制成單顆組件的先進(jìn)封裝技術(shù) 。 WLP基本工藝是在晶圓完...
