60r280場效應(yīng)管,600vmos管,to220f mos,KLF60R280B-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-08-21
KLF60R280B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流15A，采用新型溝槽工藝制造，性能優(yōu)越；低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 240mΩ，減少導(dǎo)電損失，低柵極電荷（典型值Qg=19.6nC），減少開關(guān)損耗；具有高耐用性、快速開關(guān)、100%經(jīng)雪崩測試、改進的dv/dt性能，高效穩(wěn)定可靠；封裝形式：TO-220F，散熱出色。
漏源電壓：600V
漏極電流：15A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：45A
單脈沖雪崩能量：710MJ
功率耗散：30W
閾值電壓：2.5-4.5V
總柵極電荷：19.5nC
輸入電容：770PF
輸出電容：310PF
反向傳輸電容：20PF
開通延遲時間：7.5nS
關(guān)斷延遲時間：38nS
上升時間：6.5ns
下降時間：8.2ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
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