碳化硅mos管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是第三代半導(dǎo)體材料電力電子器件...碳化硅mos管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是第三代半導(dǎo)體材料電力電子器件，三個(gè)腳分別為柵極（G），漏極（D）和源極（S）。碳化硅MOS為電壓型控制器件，具有...
儲(chǔ)能逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，并能夠?qū)㈦娔軆?chǔ)存于電池中的設(shè)備。儲(chǔ)能...儲(chǔ)能逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，并能夠?qū)㈦娔軆?chǔ)存于電池中的設(shè)備。儲(chǔ)能逆變器在應(yīng)對(duì)電網(wǎng)電力波動(dòng)和提高電力系統(tǒng)供電質(zhì)量方面具有非常重要的作用。它可以控...
KCB2908A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓85V，漏極電流130A，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)設(shè)計(jì)，極低...KCB2908A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓85V，漏極電流130A，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)設(shè)計(jì)，極低導(dǎo)通電阻RDS(on) 3.7mΩ，出色的柵極電荷，可最大限度地減少導(dǎo)電損失，減少開(kāi)關(guān)損耗...
當(dāng)S1A為低電平的時(shí)候，MOS管Q3導(dǎo)通，S1A與S2A導(dǎo)通，S2A端被拉低到0V，實(shí)現(xiàn)兩端...當(dāng)S1A為低電平的時(shí)候，MOS管Q3導(dǎo)通，S1A與S2A導(dǎo)通，S2A端被拉低到0V，實(shí)現(xiàn)兩端都為低電平。 當(dāng)S1A為高電平的時(shí)候，MOS管Q3關(guān)斷，S2A端由上拉電阻（上圖中的 R28）...
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和...結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道；絕緣柵型分為增強(qiáng)型和耗盡型（N溝道和P溝道）。 JFET和MOSTFET之間的主要區(qū)...
FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）主要分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管...FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）主要分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）和金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MESFET）、調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)管（MODFET）等。
