絕緣柵型場效應(yīng)管和結(jié)型場效應(yīng)管詳解-KIA MOS管

絕緣柵型場效應(yīng)管和結(jié)型場效應(yīng)管的區(qū)別

結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）、絕緣柵型場效應(yīng)管（MOSFET），結(jié)型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道；絕緣柵型分為增強(qiáng)型和耗盡型（N溝道和P溝道）。

JFET和MOSTFET之間的主要區(qū)別在于，通過JFET的電流通過反向偏置PN結(jié)上的電場引導(dǎo)，而在MOSFET中，導(dǎo)電性是由于嵌入在半導(dǎo)體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。

結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）

依據(jù)導(dǎo)電溝道類型分為：

N溝道JFET：溝道由N型半導(dǎo)體構(gòu)成。

P溝道JFET：溝道由P型半導(dǎo)體構(gòu)成。

其特性為耗盡型（導(dǎo)電溝道在零偏壓下存在）。

絕緣柵型場效應(yīng)管（MOSFET）

按導(dǎo)電溝道類型和開啟條件分為：

增強(qiáng)型MOSFET：需要外加?xùn)艠O電壓才能形成溝道，分N溝道和P溝道。

耗盡型MOSFET：在零柵壓下已有溝道，同樣分為N溝道和P溝道。

絕緣柵型場效應(yīng)管詳解

MOSFET由源極、漏極和柵極構(gòu)成。其顯著特點(diǎn)是源、漏極之間沒有p-n結(jié)，而是由一層絕緣材料隔開。柵極與基片之間存在一層氧化層，稱為柵氧層。

絕緣柵型,結(jié)型場效應(yīng)管

MOSFET通過調(diào)控輸入信號電壓，通過柵極控制輸出電流。柵極電壓影響絕緣層下方的電子濃度，從而控制電流流動。

與JFET相比，MOSFET具有更低的輸入電容、更高的輸入電阻、更好的噪聲特性以及更高的可靠性和穩(wěn)定性。此外，MOSFET具有更高的絕緣強(qiáng)度，適用于高壓應(yīng)用場景。

結(jié)型場效應(yīng)管詳解

JFET由一個n型或p型半導(dǎo)體材料構(gòu)成，其兩端之間夾有一層相反類型的半導(dǎo)體材料（即形成p-n結(jié)）。這個p-n結(jié)被稱為“通道”。

絕緣柵型,結(jié)型場效應(yīng)管

JFET通過在柵極和源極之間施加電壓來控制電流的流動。當(dāng)在柵-源之間加負(fù)向電壓時，可以保證耗盡層承受反向電壓，在漏-源之間加正向電壓則形成漏極電流。JFET的漏極電流與施加的柵極電壓成正比。

JFET的輸入電阻較高，輸出電阻較低，且具有良好的線性特性。

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絕緣柵型,結(jié)型場效應(yīng)管