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高電平轉(zhuǎn)低電平方法,高電平轉(zhuǎn)低電平電路-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-09-25 

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高電平轉(zhuǎn)低電平方法,高電平轉(zhuǎn)低電平電路-KIA MOS管


高電平轉(zhuǎn)低電平方法

二極管電平轉(zhuǎn)換電路

利用二極管單向?qū)ㄌ匦?,輸入高電平時反向截止,輸出端被上拉至目標(biāo)電壓;輸入低電平時正向?qū)▽?shí)現(xiàn)電平匹配。

電路特點(diǎn):

單向傳輸(僅支持高→低轉(zhuǎn)換)。

存在0.2-0.7V導(dǎo)通壓降(需選用肖特基二極管)。

高電平轉(zhuǎn)低電平

三極管電平轉(zhuǎn)換電路

NPN型:輸入高電平導(dǎo)通,輸出低電平;輸入低電平截止,輸出被上拉至高電平。

PNP型:工作邏輯與NPN互補(bǔ),適用于特定場景驅(qū)動。

高電平轉(zhuǎn)低電平

MOS管雙向轉(zhuǎn)換方案

支持雙向通信且無方向控制引腳,適用于I2C、SPI等總線協(xié)議。

設(shè)計(jì)要求:

低側(cè)電壓需大于MOS管閾值電壓(一般Vth<2V)。

拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):N溝道MOS管串聯(lián)在高低壓域間,源極接低電壓端,漏極接高電壓端。

MOS管雙向電平轉(zhuǎn)換電路

高電平轉(zhuǎn)低電平

這種電路方案的V1電壓≤V2電壓,且V1電壓要大于MOS管導(dǎo)通電壓。

當(dāng)S1A為低電平的時候,MOS管Q3導(dǎo)通,S1A與S2A導(dǎo)通,S2A端被拉低到0V,實(shí)現(xiàn)兩端都為低電平。

當(dāng)S1A為高電平的時候,MOS管Q3關(guān)斷,S2A端由上拉電阻(上圖中的 R28)拉高成高電平,實(shí)現(xiàn)兩端都被高電平。

當(dāng)S2A為低電平的時候,MOS管內(nèi)部寄生二極管導(dǎo)通,將S1A拉低至低電平,然后MOS管導(dǎo)通,S1A與S2A導(dǎo)通,輸出端被拉低到0V,實(shí)現(xiàn)兩端都為低電平。

當(dāng)S2A為高電平的時候,MOS管Q3關(guān)斷,S1A端由上拉電阻(上圖中的 R29)拉高成高電平,實(shí)現(xiàn)兩端都被高電平。

這種使用MOS管做電平轉(zhuǎn)換的電路切換速率較高,適用于需要進(jìn)行高速電平轉(zhuǎn)換的場景。

聯(lián)系方式:鄒先生

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