650v超結(jié),11a650v,to263封裝,KCB6265A參數(shù)-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2025-09-26
超結(jié)MOS管KCB6265A采用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)制造，低導(dǎo)通電阻RDS(on) 0.33Ω，可以最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖；具有低柵極電荷、高堅(jiān)固性、快速切換，高效低耗；100%雪崩測(cè)試、改進(jìn)的dv/dt能力，穩(wěn)定可靠；非常適合于開(kāi)關(guān)模式操作中的AC/DC功率轉(zhuǎn)換，以獲得更高的效率；封裝形式：TO-263。
漏源電壓：650V
漏極電流：11A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：44A
單脈沖雪崩能量：250MJ
功率耗散：92W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：22nC
輸入電容：632PF
輸出電容：37PF
反向傳輸電容：2.3PF
開(kāi)通延遲時(shí)間：12nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：65nS
上升時(shí)間：35ns
下降時(shí)間：30ns
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