50n06場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，采用KIA半導(dǎo)體LVMosfet技術(shù)制造，...50n06場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，采用KIA半導(dǎo)體LVMosfet技術(shù)制造，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 11mΩ，通過優(yōu)化工藝和單元結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，有效降低導(dǎo)通狀態(tài)電阻，...
MOS開通時(shí)，芯片輸出高電平，三極管Q2處于截止?fàn)顟B(tài)，高電平通過二極管D1驅(qū)動(dòng)MO...MOS開通時(shí)，芯片輸出高電平，三極管Q2處于截止?fàn)顟B(tài)，高電平通過二極管D1驅(qū)動(dòng)MOS管導(dǎo)通；芯片輸出低電平時(shí)，二極管D1截止，三極管Q2導(dǎo)通，MOSFET極間寄生電容得以通...
SOP-8（Small Outline Package-8）是一種表面貼裝型封裝，采用鷗翼形（L形）引...SOP-8（Small Outline Package-8）是一種表面貼裝型封裝，采用鷗翼形（L形）引腳設(shè)計(jì)，兩排各4個(gè)引腳共8個(gè)，適合自動(dòng)化焊接。塑料材質(zhì)封裝，底部無散熱片（帶“EP...
50n03場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 6.5mΩ，...50n03場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 6.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；具有高輸入阻抗、低功耗、低交叉電流、快速開關(guān)...
使用7805進(jìn)行降壓，7805屬于常用的線性三端穩(wěn)壓器，輸入電壓范圍不大于35V，輸...使用7805進(jìn)行降壓，7805屬于常用的線性三端穩(wěn)壓器，輸入電壓范圍不大于35V，輸入輸出壓差2V，最大輸出電流1.5A，下圖為原理圖，其不足之處就是效率低，特別是壓差...
數(shù)字功放利用極高頻率的轉(zhuǎn)換開關(guān)電路來放大音頻信號，采用異步調(diào)制的方式，在音...數(shù)字功放利用極高頻率的轉(zhuǎn)換開關(guān)電路來放大音頻信號，采用異步調(diào)制的方式，在音頻信號周期發(fā)生變化時(shí)，高頻載波信號仍然保持不變。 因此，在音頻頻率比較低的時(shí)候...
