50n03場效應(yīng)管,30v50a,to252,KIA50N03CD參數(shù)資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-10-17
50n03場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，極低導通電阻RDS(開啟) 6.5mΩ，最大限度地減少導電損耗，提高效率；具有高輸入阻抗、低功耗、低交叉電流、快速開關(guān)特性以及100%經(jīng)雪崩測試、提升dv/dt性能，在運行中高效穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)用于PWM應(yīng)用、電源管理、負載開關(guān)等；封裝形式：TO-252，散熱良好。
漏源電壓：30V
漏極電流：50A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：120A
單脈沖雪崩能量：121MJ
功率耗散：36W
閾值電壓：1.6V
總柵極電荷：21nC
輸入電容：1271PF
輸出電容：130PF
反向傳輸電容：112PF
開通延遲時間：13nS
關(guān)斷延遲時間：27nS
上升時間：19ns
下降時間：20ns
聯(lián)系方式：鄒先生
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