13n50場效應管,500v13a,KIA13N50HF參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-02-06
KIA13N50HF場效應管漏源電壓500V，漏極電流13A，低導通電阻RDS(開啟) 0.4Ω，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷（典型值45nC），降低開關損耗，性能高效；具有快速切換能力、指定雪崩能量、改進的dv/dt能力，穩(wěn)定可靠；適用于逆變器后級電路，以及電子鎮(zhèn)流器、DC-AC電源轉換器、DC-DC電源轉換器、高壓H橋PMW馬達驅動；封裝形式：TO-220F。
詳細參數(shù)：
漏源電壓：500V
漏極電流：13A
導通電阻：0.4Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：52A
單脈沖雪崩能量：860MJ
功率耗散：48W
總柵極電荷：44nC
輸入電容：1600PF
輸出電容：200PF
反向傳輸電容：20PF
開通延遲時間：25nS
關斷延遲時間：130nS
上升時間：100ns
下降時間：100ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯(lián)系刪除。
