2n65場效應(yīng)管,650v2a,to252,KIA2N65HD參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-10-15
KIA2N65HD場效應(yīng)管漏源擊穿電壓650V，漏極電流2A，采用KIA先進平面條紋DMOS技術(shù)制造，可顯著降低導(dǎo)通電阻、提升開關(guān)性能，并在雪崩模式和換向模式下具備優(yōu)異的高能脈沖耐受能力；低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.3Ω，最大限度地減少損耗；具有低柵極電荷（典型值6.5nC）、高抗干擾能力、快速開關(guān)、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，高效穩(wěn)定可靠；特別適用于高效開關(guān)電源及基于半橋拓撲結(jié)構(gòu)的有源功率因數(shù)校正系統(tǒng)等；封裝形式：TO-252。
漏源電壓：650V
漏極電流：2A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：7.5A
單脈沖雪崩能量：100MJ
功率耗散：42W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：6.5nC
輸入電容：275PF
輸出電容：30PF
反向傳輸電容：2PF
開通延遲時間：10nS
關(guān)斷延遲時間：40nS
上升時間：30ns
下降時間：40ns
聯(lián)系方式：鄒先生
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