晶體管寄生參數(shù)有哪些,寄生參數(shù)影響-KIA MOS管

晶體管寄生參數(shù)

晶體管有三種主要寄生參數(shù)：寄生電容、寄生電阻和寄生電感。

1.柵極寄生電容

存在于柵極與源極/漏極之間的電容，影響信號傳輸速度和開關特性。

2.漏極寄生電容

漏極與源極間的電容，影響電流變化速度和功耗。

3.源極寄生電容

源極與柵極間的電容，影響源極電流的快速變化。

4.體二極管電容

源極與漏極間的體二極管電容，影響開關行為。

5.柵極電阻

柵極內(nèi)部電阻，增加熱噪聲并影響開關速度。

6.漏極電阻/源極電阻

漏極/源極的體電阻，影響導通狀態(tài)下的電壓分配。

7.寄生電感

引腳或內(nèi)部結構產(chǎn)生的電感，導致信號延遲和相位偏移。

MOS管寄生參數(shù)的影響

寄生電容

寄生電容主要包括柵源電容（Cgs）、柵漏電容（Cgd）和漏源電容（Cds）。這些電容在MOS管工作時，會形成充電和放電過程，從而影響開關速度。例如，柵源電容Cgs在柵極電壓變化時需要充放電，這會導致開關延遲。在高頻應用中，過大的寄生電容會顯著降低電路的工作頻率，增加功耗。因此，選擇具有低寄生電容的MOS管對于高頻電路設計至關重要。

寄生電感

寄生電感主要來源于MOS管的封裝和引線。當電流通過MOS管時，寄生電感會產(chǎn)生電壓降，影響電流的快速變化。在開關應用中，寄生電感可能導致電壓過沖和振蕩，進而影響電路的穩(wěn)定性。為了減小寄生電感的影響，可以采用低電感的封裝形式，如表面貼裝器件（SMD），并優(yōu)化PCB布局，減少引線長度。

寄生電阻

寄生電阻主要包括導通電阻（Rds(on)）和引線電阻。導通電阻是MOS管在導通狀態(tài)下源極和漏極之間的電阻，它直接影響MOS管的功耗和效率。較低的導通電阻可以減小功耗，提高電路效率。引線電阻則與MOS管的封裝和引線材料有關，過大的引線電阻會增加功耗和熱量產(chǎn)生。

源邊感抗

MOS管的開啟延遲和關斷延遲增加，由于存在源邊電感，在開啟和關段初期，電流的變化被拽了，使得充電和放電的時間變長了。同時源感抗和等效輸入電容之間會發(fā)生諧振（這個諧振是由于驅(qū)動電壓的快速變壓形成的，也是在 G端看到震蕩尖峰的原因），加入的門電阻Rg和內(nèi)部的柵極電阻Rm都會抑制這個震蕩（震蕩的Q值非常高）。

需要加入的優(yōu)化電阻的值可以通過上述的公式選取，如果電阻過大則會引起G端電壓的過沖（優(yōu)點是加快了開啟的過程），電阻過小則會使得開啟過程變得很慢，加大了開啟的時間（雖然G端電壓會被抑制）。

原感抗另外一個影響是阻礙Id的變化，當開啟的時候，初始時di/dt偏大，因此在原感抗上產(chǎn)生了較大壓降，從而使得源點點位抬高，使得Vg電壓大部分加在電感上面，因此使得G點的電壓變化減小，進而形成了一種平衡（負反饋系統(tǒng)）。

另外一個重要的寄生參數(shù)是漏極的感抗，主要是有內(nèi)部的封裝電感以及連接的電感所組成。

在開啟狀態(tài)的時候Ld起到了很好的作用（Subber吸收的作用），開啟的時候由于Ld的作用，有效的限制了di/dt/（同時減少了開啟的功耗）。在關斷的時候，由于Ld的作用，Vds電壓形成明顯的下沖（負壓）并顯著的增加了關斷時候的功耗。

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