充電器mos管,2904mos,?to263封裝,KCB2904A場效應管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-22
KCB2904A場效應管漏源擊穿電壓45V，漏極電流130A，采用先進的SGT技術(shù)，極低導通電阻RDS（ON）2mΩ（典型值），最大限度地降低導通電阻，減少開關(guān)損耗；具有低功率損耗，高功率密度，提升最大電流承載能力，易于并聯(lián)，優(yōu)異的低Ciss特性，在高頻應用中更快地響應輸入信號，高效穩(wěn)定；廣泛應用于交流/直流快速充電器的同步整流、電池管理系統(tǒng)、不間斷電源中；封裝形式：TO-263，散熱出色。
漏源極電壓：45V
漏極電流：130A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：865A
雪崩能量單脈沖：20
最大功耗：125W
總柵極電荷：60nC
閾值電壓：2-4V
輸入電容：4195PF
輸出電容：1380PF
反向傳輸電容：110PF
開通延遲時間：16nS
關(guān)斷延遲時間：44nS
上升時間：18.3ns
下降時間：11.5ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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