KLM60R135BD場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流24A，采用多層外延工藝的超結(jié)M...KLM60R135BD場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流24A，采用多層外延工藝的超結(jié)MOS，有效降低導(dǎo)通電阻Rds(on)和Qg，提高效率；極低導(dǎo)通電阻RDS（ON）110mΩ，最大限...
電容的基本度量單位為法拉（F）。因法拉單位量值較大，實(shí)際電路中常用更小的衍...電容的基本度量單位為法拉（F）。因法拉單位量值較大，實(shí)際電路中常用更小的衍生單位進(jìn)行計(jì)量：微法（μF)，其與法拉的換算關(guān)系為1μF=10-6F；納法（nF），換算關(guān)...
單極型半導(dǎo)體器件是一種主要依靠一種載流子（多數(shù)載流子）參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件...單極型半導(dǎo)體器件是一種主要依靠一種載流子（多數(shù)載流子）參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件。這類(lèi)器件通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流，而非雙極型器件中電子與空穴同時(shí)參與導(dǎo)電機(jī)理。
KLM60R090B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流38A，是采用多層外延工藝的超結(jié)...KLM60R090B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流38A，是采用多層外延工藝的超結(jié)MOS，內(nèi)阻低、抗沖擊能力強(qiáng)，高效低耗；低導(dǎo)通電阻RDS（ON）80mΩ（典型值），最大限...
當(dāng)按下按鈕SB1，接觸器KM線圈獲電動(dòng)作，電動(dòng)機(jī)通電，電磁抱閘的線圈YB也通電，...當(dāng)按下按鈕SB1，接觸器KM線圈獲電動(dòng)作，電動(dòng)機(jī)通電，電磁抱閘的線圈YB也通電，鐵芯吸引銜鐵而吸合，同時(shí)銜鐵克服彈簧拉力，迫使制動(dòng)杠桿向上移動(dòng)，從而使制動(dòng)器的...
