寄生電容主要包括柵源電容（Cgs）、柵漏電容（Cgd）和漏源電容（Cds）。這些電...寄生電容主要包括柵源電容（Cgs）、柵漏電容（Cgd）和漏源電容（Cds）。這些電容在MOS管工作時(shí)，會(huì)形成充電和放電過程，從而影響開關(guān)速度。例如，柵源電容Cgs在柵...
KCY3503S場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流70A；采用高級(jí)溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)...KCY3503S場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流70A；采用高級(jí)溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.6mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；低柵極電荷、高電流容...
電焊設(shè)備是利用電能，通過加熱加壓，即正負(fù)兩極在瞬間短路時(shí)產(chǎn)生的高溫電弧，來...電焊設(shè)備是利用電能，通過加熱加壓，即正負(fù)兩極在瞬間短路時(shí)產(chǎn)生的高溫電弧，來熔化電焊條上的焊料和被焊材料，借助金屬原子的結(jié)合與擴(kuò)散作用，使兩件或兩件以上的...
數(shù)字集成電路針對(duì)離散的數(shù)字信號(hào)（具有0和1兩種狀態(tài)），實(shí)現(xiàn)邏輯運(yùn)算、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)...數(shù)字集成電路針對(duì)離散的數(shù)字信號(hào)（具有0和1兩種狀態(tài)），實(shí)現(xiàn)邏輯運(yùn)算、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、控制等數(shù)字系統(tǒng)功能；模擬集成電路針對(duì)連續(xù)變化的模擬信號(hào)（如隨時(shí)間連續(xù)變化的電...
KCB3010A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A，采用先進(jìn)SGT技術(shù)制造，先進(jìn)...KCB3010A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A，采用先進(jìn)SGT技術(shù)制造，先進(jìn)的雙溝道技術(shù)降低導(dǎo)通損耗、提高開關(guān)性能，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.0mΩ，高效低耗...
