IRF8726替代MOS管KIA3103A 30V110A-特征 RDS(on)=1.9mΩ（typ.）@ VGS=10V 低...IRF8726替代MOS管KIA3103A 30V110A-特征 RDS(on)=1.9mΩ（typ.）@ VGS=10V 低導(dǎo)通電阻 快速切換 100%雪崩試驗(yàn) 重復(fù)雪崩最高允許Tjmax 無鉛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
NMOSFET特性退化
飽和區(qū):
通常Vg
器件退化的含義： 也就是隨著應(yīng)力時(shí)間的推移，輸出電流下降，同時(shí)閾值電壓增加...器件退化的含義： 也就是隨著應(yīng)力時(shí)間的推移，輸出電流下降，同時(shí)閾值電壓增加，至于Vg=Vd/2的含義，簡(jiǎn)單講，柵電壓時(shí)漏電壓一半的時(shí)候，襯底電流最大，同時(shí)漏端...
MOS管30V40A KNX9103A參數(shù)資料-特性 RDS(ON)=8.5mΩ(Typ.),VGS=10V 先進(jìn)的溝...MOS管30V40A KNX9103A參數(shù)資料-特性 RDS(ON)=8.5mΩ(Typ.),VGS=10V 先進(jìn)的溝槽加工技術(shù)。 超低導(dǎo)通電阻的高密度電池設(shè)計(jì) 完全表征的雪崩電壓和電流
放大電路的基本分析方法包括圖解法和微變等效電路法，今天學(xué)一下微變等效電路法...放大電路的基本分析方法包括圖解法和微變等效電路法，今天學(xué)一下微變等效電路法：放大電路放大的是信號(hào)的變化量，當(dāng)信號(hào)變化范圍很小的時(shí)候（微變），可以認(rèn)為三極...
900V9AMOS管 KNX4890A產(chǎn)品特征 專用的新平面工藝技術(shù) RDS(ON),typ.=1.2Ω@VG...900V9AMOS管 KNX4890A產(chǎn)品特征 專用的新平面工藝技術(shù) RDS(ON),typ.=1.2Ω@VGS=10V 低柵極電荷最小化開關(guān)損耗 快恢復(fù)體二極管
