單片MOS開關(guān)電源的典型應(yīng)用電路如圖1-13所示。由于單端反激式開關(guān)電源電路簡單...單片MOS開關(guān)電源的典型應(yīng)用電路如圖1-13所示。由于單端反激式開關(guān)電源電路簡單、所用元件少，輸出與輸人間有電氣隔離，能方便地實現(xiàn)多路輸出，開關(guān)管驅(qū)動簡單，所...
線性電源的動態(tài)響應(yīng)非常快，穩(wěn)壓性能好，只可惜其功率轉(zhuǎn)換效率太低。要想提高效...線性電源的動態(tài)響應(yīng)非?？欤€(wěn)壓性能好，只可惜其功率轉(zhuǎn)換效率太低。要想提高效率，就必須使圖 1-2中的功率調(diào)整器件（即調(diào)整管）處于開關(guān)上作狀態(tài)，再對圖1-2所示...
MOSFET沒有存儲時間 ，只存一個關(guān)斷延遲時間 。關(guān)斷延遲時間是柵極電壓從最高電...MOSFET沒有存儲時間 ，只存一個關(guān)斷延遲時間 。關(guān)斷延遲時間是柵極電壓從最高電壓（約為OV ） 下降到電壓 Vd1 圖 9.3 b所需的時間 。在這個時間段內(nèi)漏極電流保持不...
MOSFET 管還有N個方法 ，就是設(shè)它的最大結(jié)點溫度一一比如說可以將其設(shè)為 100℃...MOSFET 管還有N個方法 ，就是設(shè)它的最大結(jié)點溫度一一比如說可以將其設(shè)為 100℃。然后假設(shè)一個合理的較低的 MOSFET 管結(jié)點到外殼的溫升 （ 這樣就小需里太低的外 殼...
導(dǎo)通瞬間基極過驅(qū)動峰值輸入電流／bl為了保證迅速導(dǎo)通集電極電流，需要有一個持...導(dǎo)通瞬間基極過驅(qū)動峰值輸入電流／bl為了保證迅速導(dǎo)通集電極電流，需要有一個持續(xù)時間很短且峰值約為導(dǎo)通期間平均值2～3倍的基極尖峰電流供給基極。該尖峰的持續(xù)時...
開關(guān)電源發(fā)生過電壓、過電流短路時，保護電路使開關(guān)電源停止工作以保護負載和電...開關(guān)電源發(fā)生過電壓、過電流短路時，保護電路使開關(guān)電源停止工作以保護負載和電源本身。 線性電源一般是將輸出電壓取樣后與參考電壓起送入比較電壓放大器，此電壓...
