快恢復(fù)二極管（FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管...快恢復(fù)二極管（FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中。
KCT2213A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓135V，漏極電流200A ，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，極低導(dǎo)...KCT2213A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓135V，漏極電流200A ，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.9mΩ，低柵極電荷（151nC），最小化開關(guān)損耗，性能卓越；改進(jìn)的...
穩(wěn)壓二極管(zener diode)，又叫齊納二極管；利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，呈現(xiàn)極小的...穩(wěn)壓二極管(zener diode)，又叫齊納二極管；利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，呈現(xiàn)極小的電阻，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，起穩(wěn)壓作用。
單結(jié)晶體管有三個(gè)電極，分別稱為第一基極b1、第二基極b2、發(fā)射極e。單結(jié)晶體管...單結(jié)晶體管有三個(gè)電極，分別稱為第一基極b1、第二基極b2、發(fā)射極e。單結(jié)晶體管雖然有三個(gè)電極，但在結(jié)構(gòu)上只有一個(gè)PN結(jié)，它是在一塊高電阻率的N型硅基片一側(cè)的兩端...
KCT1004M場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V, 漏極電流320A ，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，高壓器...KCT1004M場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V, 漏極電流320A ，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，高壓器件新技術(shù)，低導(dǎo)通電阻和低傳導(dǎo)損耗，性能優(yōu)越；?極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.62mΩ，超...
在電路中，MOS管的開啟電壓（通常指的是閾值電壓）決定了MOS管從截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通...在電路中，MOS管的開啟電壓（通常指的是閾值電壓）決定了MOS管從截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)所需的柵源電壓（VGS）的最小值。對(duì)于NMOS管，當(dāng)VGS大于Vth時(shí)，管子開始導(dǎo)通。...
