DC-DC有多種拓撲結構，如BUCK（降壓）、BOOST（升壓）、BUCK-BOOST（升降壓）三...DC-DC有多種拓撲結構，如BUCK（降壓）、BOOST（升壓）、BUCK-BOOST（升降壓）三大基本拓撲結構。升壓降壓電路（Boost和Buck電路）通過電感的儲能與釋放、開關元件...
KNB2908B場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術，高密度...KNB2908B場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術，高密度電池設計，極低導通電阻RDS(開啟) 5.0mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，高...
N溝道增強型MOSFET：當VGS超過閾值電壓（VTH）時，ID開始增加，曲線呈上升趨勢...N溝道增強型MOSFET：當VGS超過閾值電壓（VTH）時，ID開始增加，曲線呈上升趨勢。 P溝道增強型MOSFET：當VGS低于負閾值電壓（-VTH）時，ID開始增加，曲線呈下降趨...
輸出特性曲線：N溝道增強型MOS管的輸出特性曲線如圖1a所示。與結型場效應管一樣...輸出特性曲線：N溝道增強型MOS管的輸出特性曲線如圖1a所示。與結型場效應管一樣，其輸出特性曲線也可分為可變電阻區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)幾部分。 轉(zhuǎn)移特性曲...
KLF60R170B漏源擊穿電壓600V，漏極電流22A，n溝道多外延Super-JMOSFET結合了高...KLF60R170B漏源擊穿電壓600V，漏極電流22A，n溝道多外延Super-JMOSFET結合了高壓耐壓與低導通電阻的特性，?低導通電阻RDS(on) 150mΩ，超低柵極電荷30.2nc，最大...
電機要實現(xiàn)正反轉(zhuǎn)控制，將其電源的相序中任意兩相對調(diào)即可（換相），通常是V相...電機要實現(xiàn)正反轉(zhuǎn)控制，將其電源的相序中任意兩相對調(diào)即可（換相），通常是V相不變，將U相與W相對調(diào)節(jié)器，為了保證兩個接觸器動作時能夠可靠調(diào)換電動機的相序，接...
