4n65場效應(yīng)管,650v4a mos,KIA4N65HF參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-02-26
KIA4N65HF場效應(yīng)管漏源擊穿電壓650V，漏極電流4A，采用KIA先進(jìn)平面條紋DMOS技術(shù)制造，可顯著降低導(dǎo)通電阻、提升開關(guān)性能，并在雪崩模式和換向模式下具備優(yōu)異的高能脈沖耐受能力；具有低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.5Ω，低柵極電荷16nC，高效低耗；以及高堅(jiān)固性、快速開關(guān)、100%雪崩測(cè)試、改進(jìn)的dv/dt能力，穩(wěn)定可靠；非常適合高效開關(guān)電源及功率因數(shù)校正系統(tǒng)等應(yīng)用；封裝形式：TO-220F。
詳細(xì)參數(shù)：
漏源電壓：650V
漏極電流：4A
導(dǎo)通電阻：2.5Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：12A
雪崩能量單脈沖：180MJ
功率耗散：34W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：16nC
輸入電容：560PF
輸出電容：55PF
反向傳輸電容：7PF
開通延遲時(shí)間：10nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：40nS
上升時(shí)間：40ns
下降時(shí)間：50ns
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