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逆變器后級電路原理,逆變器后級電路-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-12-10 

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逆變器后級電路原理,逆變器后級電路-KIA MOS管


逆變器后級電路原理

逆變器后級電路的作用是將高壓直流電轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的交流電,結(jié)構(gòu)采用全橋(H橋)拓?fù)洹?/span>

逆變器后級電路通過SPWM控制全橋開關(guān)管,將高壓直流電逆變?yōu)榻涣麟姡⒁蕾嘗C濾波器凈化輸出。設(shè)計時需重點關(guān)注死區(qū)時間設(shè)置、米勒電容抑制和驅(qū)動電路穩(wěn)定性,以確保高效可靠運行。

工作原理

后級電路通過控制四個功率開關(guān)管(通常為MOSFET或IGBT)的導(dǎo)通與關(guān)斷,模擬正弦波交流輸出:

開關(guān)控制:利用SPWM(正弦脈寬調(diào)制)技術(shù)生成驅(qū)動信號。SPWM通過比較正弦調(diào)制波與高頻三角載波,產(chǎn)生脈沖序列,控制開關(guān)管的導(dǎo)通時間,使輸出電壓的平均值逼近正弦波。

電壓轉(zhuǎn)換:當(dāng)上下對角的開關(guān)管(如Q1與Q4、Q2與Q3)交替導(dǎo)通時,直流母線電壓被切換為交流方波。

例如:Q1和Q4導(dǎo)通時,輸出正半周;Q2和Q3導(dǎo)通時,輸出負(fù)半周。

濾波處理:輸出經(jīng)過LC濾波器(電感L和電容C)平滑脈沖,濾除高頻諧波,得到純凈的正弦波交流電。

逆變器后級電路

H橋功率電路

組成:由4個IGBT或MOSFET(如IRFP460)組成全橋結(jié)構(gòu),負(fù)責(zé)將直流電轉(zhuǎn)換為高頻方波。

驅(qū)動方式:上下管采用自舉電容驅(qū)動,避免隔離電源,簡化設(shè)計。

工作原理:對角線上的兩個管子交替導(dǎo)通,形成高頻交變電流。

SPWM驅(qū)動信號

信號生成:通過比較正弦波與三角波生成SPWM信號,控制H橋開關(guān)管的導(dǎo)通時間。

調(diào)制方式:雙極性調(diào)制,確保輸出波形失真度低。

死區(qū)時間:設(shè)置死區(qū)防止上下管直通,通常通過軟件或硬件實現(xiàn)。

LC濾波電路

組成:電感(如1mH)與電容(如400V/1μF)組成低通濾波器。

作用:濾除高頻諧波,將方波轉(zhuǎn)換為平滑的正弦波。

設(shè)計要點:電感值和電容值需匹配,確保截止頻率低于基波頻率。

逆變器后級電路原理

逆變器后級電路原理

關(guān)鍵參數(shù)與注意事項

功率管選型:

耐壓:母線電壓的2倍以上(如母線340V,選500V耐壓管)。

電流:根據(jù)輸出功率計算,例如600W輸出時,電流約為2.7A(220Vrms)。

死區(qū)時間設(shè)置:

防止直通:死區(qū)時間需大于功率管開關(guān)時間(如500ns)。

軟件實現(xiàn):通過PWM模塊的死區(qū)功能設(shè)置。

濾波器優(yōu)化:

電感損耗:選擇低DCR(直流電阻)電感,減少發(fā)熱。

電容ESR:選用低ESR電容,降低紋波。

保護(hù)電路:

過流保護(hù):檢測H橋電流,超過閾值時關(guān)閉驅(qū)動信號。

過壓保護(hù):監(jiān)測輸出電壓,防止濾波電容過壓。

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逆變器后級電路原理

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