30v80a mos,3080場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),to252,?KND3080-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-01
KND3080是一款N溝道邏輯電平增強(qiáng)模式功率MOSFET，漏源擊穿電壓30V，漏極電流80A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，提供卓越的開關(guān)性能；極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.3mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，減少導(dǎo)通損耗，超低柵極電荷，高效低耗；CdV/dt效應(yīng)顯著下降、100% ΔVds測(cè)試、100%UIS測(cè)試，穩(wěn)定可靠、綠色器件可用；廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)、電池管理、UPS不間斷電源等；封裝形式：TO-252，體積小，散熱出色。
詳細(xì)參數(shù)：
漏源極電壓：30V
漏極電流：80A
導(dǎo)通電阻：4.3mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：320A
雪崩能量單脈沖：169MJ
最大功耗：53W
柵極閾值電壓：1.5V
總柵極電荷：25nC
輸入電容：1500PF
輸出電容：188PF
反向傳輸電容：170PF
開通延遲時(shí)間：6nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：30nS
上升時(shí)間：12ns
下降時(shí)間：8ns
聯(lián)系方式：鄒先生
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