適配器充電器mos,500v mos,to220,??KNP6450B場效應(yīng)管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-03
KNP6450B場效應(yīng)漏源電壓500V，漏極電流13A，低導(dǎo)通電阻RDS(on) 0.35Ω，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，高效率低損耗，性能優(yōu)越；具備快速切換特性，實現(xiàn)快速切換電源；低柵極電荷、低反向傳輸電容、100%單脈沖雪崩能量測試，穩(wěn)定可靠；適用于音響功放、適配器和充電器電源開關(guān)電路中；封裝形式：TO-220，散熱出色。
漏源電壓：500V
漏極電流：13A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：52A
雪崩能量單脈沖：900MJ
功率耗散：150W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：46nC
輸入電容：2155PF
輸出電容：215PF
反向傳輸電容：25PF
開通延遲時間：16nS
關(guān)斷延遲時間：46nS
上升時間：26ns
下降時間：36ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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