高頻電源mos,?600v50a,60R065,??KLF60R065B參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-08-12
KLF60R065B場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流50A，極低導通電阻RDS(開啟) 50mΩ，最大限度地降低導通電阻，低柵極電荷75nC，減少損耗、提高效率；100%雪崩測試、改進的dv/dt能力、超高堅固性，穩(wěn)定可靠；廣泛應用于高頻開關(guān)電源及功率轉(zhuǎn)換電路，開關(guān)速度快、性能優(yōu)越；封裝形式：TO-220F，散熱出色。
漏源電壓：600V
漏極電流：50A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：150A
雪崩能量單脈沖：281MJ
最大功耗：48W
閾值電壓：2.5-4.5V
總柵極電荷：78nC
輸入電容：3200PF
輸出電容：80PF
反向傳輸電容：5PF
開通延遲時間：19nS
關(guān)斷延遲時間：75nS
上升時間：9ns
下降時間：11ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
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