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電機驅動板場效應管,專用mos管,35P10參數(shù)引腳圖-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-11-02 

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電機驅動板場效應管,專用mos管,35P10參數(shù)引腳圖-KIA MOS管


電機驅動在工業(yè)自動化設備中占據(jù)核心地位,如果電機驅動發(fā)生故障就很容易導致?lián)p失,因此對于電機驅動廠家在使用任何元器件時都值得慎重考慮的,例如元器件之一MOS管,選擇優(yōu)質(zhì)的場效應管可以讓電機驅動提升效率,減少損耗。


KIA35P10A是一款自動化設備的電機驅動專用MOS管,采用先進的溝槽MOSFET技術,提供出色的RDS(ON)和柵極電荷。KIA35P10A漏源擊穿電壓-100V, 漏極電流-35A ,RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V,封裝形式:TO-252;具有高雪崩耐量、可靠性高、低Qgd、低RDSon的特點,可最大限度地減少導通損耗,提供卓越的開關性能;符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求,100%EAS保證,全功能可靠性得到認可。


電機驅動板場效應管,35P10參數(shù)引腳圖

電機驅動板場效應管,35P10參數(shù)

KIA35P10A特性:

RDS(開)=42mΩ(典型值)@VGS=10V

100%EAS保證

綠色設備可用

超低柵極電荷

出色的Cdv/dt效應下降

先進的高單元密度溝槽技術


電機驅動板場效應管,35P10參數(shù)詳情

工作方式:-35A/ -100V

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:-100A

單脈沖雪崩能量:345mJ

雪崩電流:28A

總功耗:104W

操作和儲存溫度范圍:-55℃至+150℃

漏源擊穿電壓:-100V

柵源漏電流:±100nA

輸入電容:4920pF

輸出電容:223pF

反向轉移電容:125pF

電機驅動板場效應管,35P10參數(shù)


電機驅動板場效應管,35P10參數(shù)

KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術型企業(yè),竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴,主動了解客戶需求,不斷研發(fā)創(chuàng)新,為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產(chǎn)品。


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