圖文分析感性負(fù)載產(chǎn)生負(fù)壓的影響-KIA MOS管

在開(kāi)關(guān)控制的電路中，若負(fù)載帶的是感性負(fù)載如電磁閥或者電機(jī)，要注意感性負(fù)載產(chǎn)生的負(fù)壓對(duì)開(kāi)關(guān)的影響，下面對(duì)感性負(fù)載（下面直接用電感介紹）產(chǎn)生負(fù)壓的原因、影響以及解決措施進(jìn)行介紹。

產(chǎn)生負(fù)壓原因

帶感性負(fù)載時(shí)，開(kāi)關(guān)管在導(dǎo)通期間，電感上的電流逐漸增大，感應(yīng)電壓阻止電流增大，所以是左正右負(fù)。

開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)，由于電感上的電流要減小，電感的特性是電流不能突變，所以電感產(chǎn)生左負(fù)右正的感應(yīng)電壓來(lái)阻止電流的減小，忽略電感內(nèi)阻的電壓，那右端為地，所以左端為負(fù)，這就是產(chǎn)生負(fù)壓的原因。

影響分析

那負(fù)壓會(huì)產(chǎn)生什么影響呢？

主要影響是開(kāi)關(guān)管的VDS增大，開(kāi)關(guān)管會(huì)過(guò)壓損壞。

解決措施

解決措施是為電感所儲(chǔ)存的能量提供一個(gè)泄放回路，從而減小電感的瞬變電壓。

解決措施是基于開(kāi)關(guān)芯片是整體，對(duì)外圍電路進(jìn)行優(yōu)化來(lái)說(shuō)的，沒(méi)有具體涉及到抑制開(kāi)關(guān)管變化速率的措施。

增加續(xù)流二極管

增加續(xù)流二極管給電感放電。續(xù)流二極管導(dǎo)通，開(kāi)關(guān)點(diǎn)就會(huì)被拉到地，起到保護(hù)作用。

續(xù)流二極管可以增加串聯(lián)電阻，減小其通過(guò)的電流。

當(dāng)然可以增加TVS管達(dá)到快速續(xù)流，如下圖所示。

增加RC網(wǎng)絡(luò)

RC主要是利用C充放電來(lái)控制L瞬態(tài)電壓的緩慢變化。也可用R,RCD反正就是泄放回路，跟電源中抑制尖峰電壓的措施差不多，區(qū)別是放電快慢和耗能了。

增加壓敏電阻

當(dāng)壓敏電阻兩端的電壓超過(guò)其承受電壓時(shí)，壓敏電阻阻值迅速減小，以控制其兩端的電壓減小，從而限制感性負(fù)載兩端的電壓。

mos的GD增加穩(wěn)壓管

最后一種是高側(cè)開(kāi)關(guān)芯片中采用的比較多的一種，在mos的GD兩端增加穩(wěn)壓管。具體原理是，當(dāng)電感為產(chǎn)生負(fù)壓時(shí)，mos的DS電壓超過(guò)穩(wěn)壓管電壓值時(shí)，穩(wěn)壓管導(dǎo)通，G點(diǎn)電壓被拉高，導(dǎo)致GS電壓增加，mos管導(dǎo)通，電感上的電流通過(guò)mos續(xù)流，所以mos的DS電壓不會(huì)高，不至于被損壞。

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